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泰高技术展位号：1438
泰高技术推出了一系列颇具创新的大功率氮化镓射频前端芯片，这些芯片能够极大地延长无线通信的距离，并显著提升图像传输的质量。借助先进的氮化镓技术，我们的芯片具备更高的功率密度和更低的能耗。不仅如此，这项创新技术还有效地提升了产品整体性能，为无线通信领域带来了突破。
通过采用我们的大功率氮化镓射频前端芯片，用户可以享受到更远距离的无线连接和更高质量的图像传输。无论是物联网设备、无人机、无线通信还是其他需要远程通信的应用场景，我们的技术都能够提供更加稳定和高效的无线连接体验。
此外，我们的大功率氮化镓射频前端芯片还具备出色的能效表现，能够在保持高性能的同时降低能耗。这意味着设备在长时间使用后依然能够保持稳定的工作状态，同时也减少了能源的消耗，为环保事业做出了贡献。总的来说，我们的大功率氮化镓射频前端芯片以其卓越的性能和能效表现成为无线通信领域的创新典范。未来，我们将继续致力于研发先进的技术，为客户提供更加优质和高效的无线通信解决方案。
展品抢先看
展品一
氮化镓高功率射频开关
泰高技术的氮化镓（RF GaN）高功率射频开关与CMOS控制器完美融合，这使得开关操作更加便捷，并且只需2.5V~5.5V的驱动电源。我们的产品在全宽带领域中表现出色，相比于GaAS和SOI开关，我们不仅提供了低插入损耗和高隔离性能，而且能够满足更广泛的应用需求。
展品二
氮化镓高功率射频放大器
泰高技术研发了一款采用GaN-On-SiC DHEMT工艺技术设计的射频功率放大器，专为满足高功率需求而打造。该放大器能够在广泛的频带500MHz至4.0GHz内传输连续波达25W的功率。不仅如此，该放大器在较低频率下的使用中也能保持出色的性能，并且能够降低输出功率。通过输入和输出的匹配，可以获得所需频带下最佳的功率传输和效率。
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泰高技术展位：1438
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